Compatibilité électromagnétique
De plus en plus, de nos jours, l’utilisation de semi-conducteurs à haute vitesse de commutation est largement répandue : par exemple les transistors de puissance SiC et GAN.
Dans des applications spécifiques localisées dans des espaces petits ou exigus (avionique, automobile), leur environnement est le siège de perturbations électromagnétiques à haute fréquence.
| Dates de la formation | Nous contacter |
|---|---|
| Tarif | 1500 € HT |
| Durée de la formation | 3 jours - 20 heures |
| Niveau d'accès | Bac+5 et plus |
| Localisation | Metz et agglomération |
| Modalités d'études | Présentiel, Rythme adapté salarié |
| Intervenant(s) | Ignace Rasoanarivo |
| Contact(s) | Frédéric Edelson - frederic.edelson@univ-lorraine.fr |
| Facultés, écoles, instituts, UFR | ENSEM |
Votre avis ne peut pas être envoyé
Signalement envoyé
Votre signalement a bien été soumis et sera examiné par un modérateur.
Votre signalement ne peut pas être envoyé
Donnez votre avis
Avis envoyé
Votre commentaire a bien été enregistré. Il sera publié dès qu'un modérateur l'aura approuvé.
Témoignages (0)
Aucun avis n'a été publié pour le moment.