Compatibilité électromagnétique
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De plus en plus, de nos jours, l’utilisation de semi-conducteurs à haute vitesse de commutation est largement répandue : par exemple les transistors de puissance SiC et GAN.
Dans des applications spécifiques localisées dans des espaces petits ou exigus (avionique, automobile), leur environnement est le siège de perturbations électromagnétiques à haute fréquence.
Dates de la formation | Nous contacter |
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Tarif | 1500 € HT |
Durée de la formation | 3 jours - 20 heures |
Niveau d'accès | Bac+5 et plus |
Localisation | Metz et agglomération |
Modalités d'études | Présentiel Rythme adapté salarié |
Intervenant(s) | Ignace Rasoanarivo |
Contact(s) | Frédéric Edelson - frederic.edelson@univ-lorraine.fr |
Schools | ENSEM |
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